VAE ကော်ပေါ်လီမာများကို အသုံးပြု၍ စုစုပေါင်းစရိတ်ထိရောက်မှုရှိသော ဘိန်ဒာဖြေရှင်းချက်များ

အီလက်ထရုံဒ် ထုတ်လုပ်မှုတွင် VAE ကောပိုလီမာများသည် စုစုပေါင်းစရိတ်ထိရောက်မှုကို အဘယ်ကြောင့် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ပေးနိုင်သနည်း။

PVDF နှင့် CMC/SBR စနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သတ္တုမှုပစ္စည်းများ စုစုပေါင်း ချုန်းသုံးမှု

PVDF သို့မဟုတ် CMC/SBR ရောစပ်မှုကဲ့သို့သော အဟောင်းဖြစ်သည့် ဘိန်ဒာများကို VAE ကော်ပေါ်လီမာများဖြင့် အစားထိုးခြင်းဖြင့် လျှပ်ကူးသံလိုက်အိုင်လက်စ်တစ်ခုချင်းစီအတွက် ပေါ်လီမာပမာဏကို လျှော့ချနိုင်သောကြောင့် ပစ္စည်းစရိတ်ကို ၁၅ ရှုံးမှ ၂၀ ရှုံးအထိ သိသိသာသာ လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ ဤနေရာတွင် အဓိကကွာခြားချက်မှာ PVDF သည် N-Methyl-2-pyrrolidone (NMP) အမည်ရသော စိတ်ပိုင်းဆိုင်ရာအန္တရာယ်ရှိပြီး စုံလင်မှုမှုန်းမှုများသော အရည်ပေါ်လ်ဗ်န်ကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်သည်ဟု ဖော်ပြထားခြင်းဖြစ်သည်။ VAE သည် ရေအခြေပြုဖြစ်သောကြောင့် ကုမ္ပဏီများသည် ထိုအဆိုးမွမ်းသော အရည်ပေါ်လ်ဗ်န်ကို ဝယ်ယူခြင်း၊ သိမ်းဆည်းခြင်းနှင့် စွန့်ပစ်ခြင်းတွင် စရိတ်သက်သောက်မှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ ထို့အပြင် ဖလွါရိုင်းပေးပေးမှု အကန့်အသတ်များနှင့် ဖလွါရိုင်းန်ပ် ဓာတုပစ္စည်းများအပေါ် ပိုမိုတင်းကြပ်သော စည်းမျဉ်းများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသည့် PVDF ဈေးနှုန်းများ၏ အလွန်အမင်း ပြောင်းလဲမှုများကို ကာကွယ်ရာတွင် အကောင်းမွန်သော အကျိုးကျေးဇူးများလည်း ရရှိပါသည်။ Ponemon ၏ ၂၀၂၃ ခုနှစ်က ပုံစံထုတ်ပြုတ်ခဲ့သည့် သုတေသနအရ ဂီဂါဝပ်အိုင်ယာ ၅ လေးထောင် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများကို လုပ်ကိုင်သည့် စက်ရုံများသည် ဤအစားထိုးမှုကြောင့် ပစ္စည်းနှင့် ပို့ဆောင်ရေးစရိတ်တွင် နှစ်စဥ် ၇၄၀,၀၀၀ ဒေါ်လာခန့် စရိတ်သက်သောက်မှုကို ရရှိခဲ့ကြသည်။

ရေအခြေပြု စွမ်းဆောင်ရည်အသုံးပြုမှုနှင့် ခြောက်သောအပူချိန်ကို လျှော့ချခြင်းကြောင့် စွမ်းအင်သုံးစွမ်းနှုန်း လျော့ကျခြင်း

VAE တွင် အသုံးပြုသည့် ရေအခြေပါ စက်စနစ်သည် ရောင်စားမှုအခြေပါ စက်စနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်လျှင် အပူစွမ်းအင်လိုအပ်မှုကို ၄၀% ခန့် လျှော့ချပေးပါသည်။ ခြေ dry လုပ်ငန်းစဉ်သည် စင်စီဂရီ ၈၀ မှ ၉၀ ဒီဂရီတွင် ဖြစ်ပေါ်ပါသည်။ ထိုအပူခါးမှုသည် PVDF အသုံးပြုမှုများတွင် NMP အဝေးထုတ်ခြင်းအတွက် လိုအပ်သည့် အပူခါးမှုထက် စင်စီဂရီ ၅၀ မှ ၆၀ ဒီဂရီ အေးသည်။ ထိုအပူခါးမှုကွာခြားမှုသည် ခြောက်သွေ့စေရေးအဆင့်တွင် လျှပ်စစ်နှင့် ဓာတ်ငွေသုံးစွမ်းအင်ကို အမှန်တကယ် လျှော့ချပေးပါသည်။ NMP ပြန်လည်ရယူရေး စက်ပစ္စည်းများကို ဖျက်သိမ်းခြင်းဖြင့် စွမ်းအင်ကုန်သုံးမှုကိုလည်း ချွေတာနိုင်ပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ရောင်စားမှု အိုင်ဗြူမ် အော်ပရေးရှင်းများကို အသုံးမြုရန် မလိုအပ်တော့သောကြောင့် ဖြစ်ပါသည်။ ထိုအိုင်ဗြူမ် အော်ပရေးရှင်းများသည် များသောအားဖြင့် တန်ခေါင်းတစ်ခုလျှင် ၂၅ မှ ၃၀ ကီလိုဝပ်နာရီ အသုံးပြုပါသည်။ ဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှုတစ်ကီလိုဝပ်နာရီလျှင် လိုအပ်သည့် စွမ်းအင်ပမာဏကို ၁၈% ခန့် လျှော့ချပေးသည်ဟု အသက်တာစက်စနစ် လေ့လာမှုများက ဖော်ပြပါသည်။ ထိုစွမ်းအင်ချွေတာမှုများသည် အီလက်ထရုဒ် သိပ်သည်းမှု သို့မဟုတ် ပစ္စည်းများ၏ ကပ်စွဲမှု အရည်အသွေးကို မထိခိုက်စေပါသည်။

VAE ဘိန်ဒာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်- လျှပ်ကူးဓာတ်ဖြစ်စေသော တည်ငြိမ်မှုနှင့် အကြိမ်ရောက်ခြင်း သက်တမ်းကို ဟန်ချက်ညှိခြင်း

NMC622/Li အခြမ်းဆဲလ်များတွင် မြင့်မားသော စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှု (> ၂၀၀ အကြိမ် အကြိမ်ရောက်ပြီးနောက် ၉၂% အထက်)

VAE ကော်ပေါ်လီမာများသည် NMC622/Li အခွင်းနှစ်ထပ်ဆင်းခြင်းဆဲလ်များတွင် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားဖောက်ခြင်း ၂၀၀ ခုအထိ ပြုလုပ်ပြီးနောက် စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှု ၉၂% အထက်ရရှိခဲ့ပါသည်။ ဤသည်မှာ ထုံးစွဲသော ဘိုင်ဒာပစ္စည်းများဖြင့် ပုံမှန်အားဖော်ပေးလေ့ရှိသည့် အချက်များထက် ၈ မှ ၁၂ ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရှုံးနေသည့် ရ...... အောက်ခြေမှာ ထုံးစွဲသည့် PVDF ဖြင့် တပ်ဆင်ထားသည့် NMC622 အီလက်ထရောဒ်များတွင် အလားတူ စမ်းသပ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် ၁၅၀ ခုအထိ စွမ်းရည် ၁၅-၂၀% အထိ ကျဆင်းသည်။

EIS ဖြင့် အတည်ပံ့သော SEI ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် မျက်နှာပုံဆက်သွယ်မှု ခုခံမှု တိုးပွားမှုနိမ့်ပါးကြောင်း အတည်ပြုထားသည်

လျှပ်ကူးသံလွင်းအချိန်ကြာမှုစမ်းသပ်မှု (electrochemical impedance spectroscopy) ရလဒ်များကို ကြည့်လျှင် VAE ဖြင့် တွယ်ချိတ်ထားသော အီလက်ထရောဒ်များအကြောင်း စိတ်ဝင်စားဖွယ်ရာတစ်ခုကို သိရှိရပါသည်။ ဤပစ္စည်းများသည် အလွန်တည်ငြိမ်သော အမြဲတမ်းဖွဲ့စည်းမှုရှိသော အီလက်ထရောလိုက်-အီလက်ထရောဒ် အန်တာဖေးစ် (solid-electrolyte interphase) အလွှာများကို ဖွဲ့စည်းပေးပါသည်။ ထိုအန်တာဖေးစ် အန်တာဖေးစ် အီလက်ထရောဒ် အန်တာဖေးစ် (interface resistance) သည် စက်ဘွဲ့ ၁၀၀ ကြိမ် အသုံးပြုပြီးနောက် အိုင်မ်-စင်တီမီတာ စတုရန်း ၅ အထိသာ တိုးတက်လာပါသည်။ ဤတန်ဖိုးသည် PVDF စနစ်များတွင် တွေ့ရသည့် တန်ဖိုးထက် ၄၀% ခန့် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ ဤသို့ဖြစ်ရခြင်းမှာ အဘယ်ကြောင့်နည်း။ အဖြေမှာ VAE အတွင်းရှိ ဟိုက်ဒရောက်ဆီလ် (hydroxyl) အုပ်စုများသည် ဤအခြေအနေတွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေခြင်းဖြစ်ပါသည်။ ထိုအုပ်စုများသည် လစ်သီယမ် အိုင်အွန်များ၏ ပိုမိုညီညာသော ဖြန့်ဖြူးမှုကို ဖန်တီးပေးပြီး အီလက်ထရောလိုက်အတွင်း တွေ့ရသော ဒေသခံအဆင်မဲ့ဖြစ်မှုများကို ကာကွယ်ပေးကာ ဒင်ဒရိုက်များ (dendrites) ဖွဲ့စည်းခြင်းကို တားဆီးပေးပါသည်။ နောက်ထပ်အကျေးနျူးတစ်ခုမှာ VAE ၏ အိုက်စီဒေးရှင်း (oxidation) အလွန်နိမ့်သော စွမ်းအားဖြစ်ပါသည်။ ထိုစွမ်းအားသည် လစ်သီယမ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဗိုးအိုး ၃.၈ အောက်တွင် ရှိပါသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိသည် မလိုလားအပ်သော ဘေးထွက်တုံ့ပြန်မှုများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ ထို့ကြောင့် အီလက်ထရောဒ်အပေါ်သို့ အားသို့မဟုတ် အီလက်ထရောဒ် အပေါ်သို့ လျှပ်စီးကူးပေးခြင်း (charge transfer resistance) သည် စက်ဘွဲ့ ၃၀၀ ကြိမ် အသုံးပြုပြီးနောက်တွင်ပါ အိုင်မ်-စင်တီမီတာ စတုရန်း ၂၅ အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ သုတေသီများသည် စကင်နင်း အီလက်ထရောန် မိုက်ခရိုစကော့ပီ (scanning electron microscopy) ဖြင့် ဖြတ်တောက်ကြည့်လျှင် ပိုမိုပေါ့ပါးပြီး ပိုမိုတည်ငြိမ်သော SEI အလွှာများကို တွေ့ရပါသည်။ ထို့အပေါ် အံ့သြစရာမှာ ဤရှုထောင်မှုများသည် စမ်းသပ်မှုများတွင် တွေ့ရသော မြင့်မားသော စွမ်းအားထိန်းသိမ်းမှု (capacity retention) နှုန်းများနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်စွာ ကိုက်ညီပါသည်။

VAE-ချေပေးထားသော အီလက်ထရုံးဒ်များ၏ ယန္တရားဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုနှင့် လုပ်စဉ်အတွက် လွတ်လပ်မှု

အလွန်ကောင်းမွန်သော ခေါက်ချိုးနိုင်မှု စွမ်းရည် (>၅,၀၀၀ ခေါက်ချိုးမှု စက်ကြောင်း) ဖြင့် ပုံစံအမျိုးမျိုးရှိသော ပုံစံပေးနိုင်သော ဘက်ထရီများကို ဖန်တီးနိုင်ခြင်း

VAE ချေပေးမှုပစ္စည်းများသည် ဤပစ္စည်းများကို အံ့ဖွယ်ဖြစ်စေသည့် ခိုင်မာမှုကို ပေးစေပါသည်။ စမ်းသပ်မှုများအရ အီလက်ထရုံးဒ်များကို ထုံးစွဲသော PVDF ချေပေးမှုပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အီလက်ထရုံးဒ်များသည် အနည်းဆုံး အကြိမ်ပေါင်း ၂၀၀ ခေါက်ချိုးပြီးနောက် ကွဲထွက်သွားခြင်း သို့မဟုတ် လျှပ်စီးမှုဆုံးရှုံးသွားခြင်းတို့ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ သို့သော် VAE ချေပေးမှုပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အီလက်ထရုံးဒ်များကို အကြိမ်ပေါင်း ၅,၀၀၀ ကျော် ခေါက်ချိုးနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဤအီလက်ထရုံးဒ်များသည် လုံးဝ ပုံစံပေးနိုင်သော ဘက်ထရီများအတွက် အထူးသင့်တော်ပါသည်။ ဥပမါ- ဝတ်ဆင်နိုင်သော နည်းပညာများ၊ အသစ်ထွက်လာသော cu roll-up မျက်နှာပြင်များ၊ ဖော်လ်ဒ်လ်ဖုန်းများ စသည်တို့အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ VAE ကို ထူးခြားစေသည့် အချက်မှာ ဤအားလုံးသော ဖိအားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် အားသာချက်ဖြစ်ပါသည်။ ဤပစ္စည်းများသည် ပုံစံကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် လျှပ်စီးမှုဆက်သွယ်မှုများသည် အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ခေါက်ချိုးပြီးနောက်တွင်ပါ မှုန်းမှုမရှိဘဲ အသုံးပြုနေသည့် နေ့စဥ်အသုံးပြုမှုအတွက် လိုအပ်သော ပုံစံပေးနိုင်သော စက်ကိရိယာများအတွက် အရေးကြီးသည့် အချက်ဖြစ်ပါသည်။

NMP ပြန်လည်ရယူရေး အခြေခံအဆောက်အအိမ်ကို ဖျက်သိမ်းခြင်းဖြင့် CAPEX ကို ၃၅% ခန့် လျှော့ချနိုင်ခြင်း

VAE မှ အသုံးပြုသည့် ရေအခြေပြုနည်းလမ်းသည် လျှပ်ကူးမှုထုတ်လုပ်ရေးစက်ရုံများ တည်ဆောက်ရာတွင် ကုမ္ပဏီများ၏ စုစုပေါင်းအသုံးစရိတ်၏ ၃၅% ခန့်ကို ဖုံးလွှမ်းထားသည့် NMP ပြန်လည်ရယူရေးစနစ်များကို ဖျက်သိမ်းပေးပါသည်။ ထို့အပ além ငွေကုန်ကုန်ကျမှုသာမက အခြားသေးငယ်သည့် လုပ်ငန်းဆောင်တာများကိုလည်း ဖျက်သိမ်းပေးပါသည်။ အိုင်ဆိုလေးရှင်းများထုတ်လွှမ်းမှုအတွက် များစွာသော စည်းမျဉ်းများကို လိုက်နာရန် စိုးရိမ်စရာမလိုတော့ပါ၊ စုံလင်သော ပေါက်ကွဲမှုကာကွယ်ရေးဒီဇိုင်းများကို ဝယ်ရန် လိုအပ်မှုမရှိတော့ပါ၊ ထို့အပ် ရှုပ်ထွေးသည့် ဗက်ကျူမ် အိုင်သုပ်မှုနည်းလမ်းများကို ထိန်းသိမ်းရန် အခက်အခဲများလည်း သိသိသာသာ လျော့နည်းသွားပါသည်။ ထို့အပ် အပူချိန်နိမ့်မှုဖြင့် ခြောက်သွေ့နိုင်ခြင်းနှင့် တွဲဖက်ပေးခြင်းကြောင့် ထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းများသည် ဒီဇိုင်းအရ ပိုမိုချောမ်မ်ပါသည်။ ထို့အပ် လုပ်ငန်းလုပ်ဆောင်မှုများသည် ပိုမိုလုံခြုံစိတ်ချရပါသည်။ ထိုလိုင်းများကို ပိုမိုမြန်မြန်တပ်ဆင်နိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကုမ္ပဏီများသည် ကုန်ထုတ်လုပ်မှုကို မြန်မြန်တိုးချဲ့နိုင်ပါသည်။ ထို့အပ် ကောင်းမွန်သော စလာရီတည်ငြိမ်မှုနှင့် အမြင့်ဆုံးအရည်အသွေးရှိသည့် အလွှာများကို ထိန်းသိမ်းရန် အရေးကြီးသည့် ဟန်ချက်ညီမှုကိုလည်း ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။

စက်လုပ်ငန်းအဆင့်မှု အကောင်အထောက်: VAE အဏုမေးကြီးအလေးချိန် ထုတ်လုပ်မှု အဆိုပ်အနက်

VAE ကော်ပေါ်လီမာထုတ်လုပ်မှုကို စကေးအတန်းမြှင့်ခြင်းအတွက် သင့်လျော်သော မော်လီကျူလာအလေးချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုကို ရရှိရေးသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ မော်လီကျူလာအလေးချိန်များ မြင့်မားလာပါက ကပ်စောင်းနိုင်မှုဂုဏ်သတ္တိများ သေချာစွာ တိုးမြင့်လာမှုရှိသော်လည်း ၎င်းတို့သည် စွမ်းအင်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပတ်သက်သည့် စွမ်းအင်ကုန်ကုန်သက်ရောက်မှုများကို ဖော်ပြပါသည်။ အဖျော်အရည်များသည် အလွန်အများကြီး ထူထဲလာပါက ဆလာရီ (slurry) ၏ အညီအမျှဖြစ်မှု၊ အခ покရ်မှု (coating consistency) နှင့် နောက်ဆုံးတွင် အီလက်ထရုဒ်ထုတ်လုပ်မှုနှုန်းကို ထိခိုက်စေပါသည်။ ဤနေရာတွင် စုစုပေါင်းအားဖြင့် အလွန်အရေးကြီးသော ဟန်ချက်ညီမှုရှိသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် စုစုပေါင်းဖော်ပေါ်မှု (synthesis) လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အလွန်သေချာစွာ ထိန်းညှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ မော်လီကျူလာအလေးချိန်များ အလွန်နိမ့်ကျသွားပါက ပစ္စည်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ယန္တရားအားဖြင့် အလွန်ကောင်းစွာ မက်ထ်တ်မှု (mechanical integrity) မရှိတော့ပါ။ အခြားတစ်ဖက်တွင် ထူထဲမှုအလွန်မြင့်မားခြင်းသည် ပါးလွဲသော ပုံစံများ (thin film applications) အတွက် အများကြီးသော ပြဿနာများကို ဖော်ပေါ်စေပါသည်။ အထူးသဖြင့် ပစ္စည်းအတွင်း အပေါက်သေးသေးများ (pinholes) သို့မဟုတ် အစုအဖွဲ့များ (clumps) ဖော်ပေါ်ခြင်းကဲ့သို့သော အက်ခ်ရှင်များ (defects) ဖော်ပေါ်လာခြင်းများ ဖော်ပေါ်ပါသည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းအနက် အထိမ်းအမှတ်အဖြစ် အသုံးပြုနေသော အဖွဲ့များသည် ပေါ်လီမာရေးဇေးရှင်း (polymerization) လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ အသေးစိတ်အချက်များကို အသေးစိတ်ညှိယူခြင်းဖြင့် ဤစိန်ခေါ်မှုကို ဖြေရှင်းကြပါသည်။ ဥပမါ- မော်နောမာ (monomers) များကို စနစ်အတွင်းသို့ ထည့်သွင်းသည့် နှုန်းများကို ညှိခြင်း၊ အစပ်ဖော် (initiators) များ၏ အက်စ်အ်စ်ထ်ရှင် (concentration) များကို ညှိခြင်း စသည်ဖြင့် အချက်များကို ညှိခြင်းဖြင့် မော်လီကျူလာအလေးချိန်များ၏ အကျယ်အဝန်းကို ပိုမိုကျဉ်းမားစေပြီး ပိုမိုဟန်ချက်ညီမှုရှိသည့် အကျယ်အဝန်းကို ဖန်တီးပေးပါသည်။ ထိုအရေးကြီးသော အကျိုးကျေးဇူးများမှာ - ထုတ်လုပ်မှုအတွင်း ထူထဲမှုတွင် ၁၀% ထက်များစွာ မပါဝင်သော အပေါ်ယံအက်ခ်ရှင်များ (variation) ဖြစ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် အီလက်ထရုဒ်များသည် အထူအတိုင်းအတာ ၁.၅ မိုက်ခရိုမီတာခန့်အထိ အညီအမျှဖြစ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပါသည်။ ထို့အပေါ်အခြေခံ၍ အဆုံးသတ်ထုတ်ကုန်တွင် အက်ခ်ရှင်များ (defects) အနည်းငယ်သာ ဖော်ပေါ်ပါသည်။ ထို့အပေါ်အခြေခံ၍ ပိုမိုသန့်ရှင်းသော ပုံစံများ (cleaner films) သည် ဆဲလ်စုစည်းမှု (cell assembly) အတွင်း ပိုမိုကောင်းမွန်သော ထုတ်လုပ်မှုနှုန်းများ (yields) နှင့် စုစုပေါင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ တည်ငြိမ်မှု (overall process stability) ကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေပါသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

VAE ကောပိုလီမာများသည် PVDF ထက် စုစုပေါင်းစရိတ်သက်သာခြင်းမှုအကြောင်းရင်းမှာ အဘယ်နည်း။

VAE ကောပိုလီမာများသည် အီလက်ထရုံဒ်တစ်ခုချင်းစီအတွက် ပေါ်လီမာပမာဏနည်းပါးပြီး ရေအခြေပြုဖြစ်သောကြောင့် N-မက်သီလ်-၂-ပိုင်ရောလီဒုံ (NMP) အိုင်ဆိုလေဗင့် အရည်ကို အသုံးမပြုရန်လိုအပ်ခြင်းကြောင့် စုစုပေါင်းစရိတ်သက်သာခြင်းရှိပါသည်။

VAE ကောပိုလီမာများသည် အီလက်ထရုံဒ်ထုတ်လုပ်မှုတွင် စွမ်းအင်သုံးစွ expenditure ကို မည်သို့သက်ရောက်မှုရှိပါသနည်း။

VAE ကောပိုလီမာများသည် အပူချိန်နိမ့်သော စက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် NMP ပြန်လည်ရယူရေးစက်ပစ္စည်းများ မလိုအပ်ခြင်းကြောင့် ရောင်းဝယ်ရေးအခြေပြုစနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်လျှင် စွမ်းအင်သုံးစွ expenditure ကို ၄၀% အထိ လျော့ချပေးပါသည်။

VAE ကောပိုလီမာများ၏ စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှု (capacity retention) သည် အဘယ်နည်း။

VAE ကောပိုလီမာများသည် NMC622/Li ဟာ့ဖ်ဆဲလ်များတွင် အားသွင်း/အားဖောက်ခြင်း ၂၀၀ ကြိမ်ပြီးနောက် စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှု ၉၂% အထက်ရှိပါသည်။ ထိုသို့သော စွမ်းရည်သည် ရောင်းဝယ်ရေးအခြေပြု အသုံးပြုသည့် အခြေခံပစ္စည်းများထက် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။

VAE သည် အမြဲတမ်းအီလက်ထရုံလျှပ်ကူးအလွှာ (SEI) အလွှာများတွင် တည်ငြိမ်မှုကို မည်သို့တိုးမြှင်ပေးပါသနည်း။

VAE သည် ဟိုက်ဒရောက်ဆီလ် အုပ်စုများနှင့် အိုက်စီဒေးရှင်းအလွန်နိမ့်သော စွမ်းအင်အတိုင်းအတာကြောင့် အန်တာဖေးရှယ် ခုခံမှုတိုးပေါ်မှုနှုန်းနိမ့်ပါးသော တည်ငြိမ်သော SEI အလွှာများကို ဖွဲ့စည်းပေးခြင်းဖြင့် တည်ငြိမ်မှုကို တိုးမြှင်ပေးပါသည်။